فهرست مطالب
عنوان
چکيده
مقدمه
فصل اول ) نانوتکنولوژي :
1-1- آغاز نانوتکنولوژي
1-2- نانوتکنولوژي از ديدگاه جامعه شناختي
1-3- نانوتکنولوژي و ميکرو الکترونيک
1-4- فنآوري نانو و فيزيک الکترونيک
فصل دوم ) الکترونيک مغناطيسي
2-1- پيش گفتار
2-2- انتقال وابسته به اسپين
2-3- اصول اوليه
2-4- ثبت مغناطيسي
2-5- حافظه‌هاي غير فرار
2-6- کاربردهاي آتي
فصل سوم ) مقاومت مغناطيسي و الکترونيک اسپيني
3-1- پيش گفتار
3-2- مقدمه
3-3- مقاومت مغناطيسي عظيم (GMR)
3-4- معکوس مغناطيسي سازي با تزريق اسپيني
3-5- مقاومت مغناطيسي تونل زني (TMR)
فصل چهارم ) حافظه دسترسي اتفاقي (RAM):
4-1- مباني اصول اوليه
4-2- مرور کلي
4-3- پيشرفت‌هاي اخير
4-4- جداره حافظه
4-5- حافظه دسترسي اتفاقي Shodow
4-6- بسته بندي DRAM
فصل پنجم ) حافظه با دسترسي اتفاقي مغناطيسي (MRAM):
5-1- مشخصات کلي
5-2- مقايسه با ساير سيستم‌ها
5-2: الف) چگالي اطلاعات
5-2: ب) مصرف برق
5-2: ج) سرعت
5-3- کليات
5-4- تاريخ ساخت حافظه‌ها
5-5- کاربردها
فصل ششم ) حافظه فقط خواندني (ROM):
6-1- تاريخچه
6-2- کاربرد ROM براي ذخيره سازي برنامه
6-3- حافظه ROM براي ذخيره سازي داده‌ها
6-4- ساير تکنولوژي‌ها
6-5- مثال‌هاي تاريخي
6-6- سرعت حافظه‌هاي ROM
6-6: الف) سرعت خواندن
6-6: ب) سرعت نوشتن
6-7- استقامت و حفظ اطلاعات
6-8- تصاوير ROM
فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطيسي :
7-1- تاريخچه و سابقه ضبط کردن مغناطيسي
فصل هشتم ) مواد براي واسطه‌هاي ضبط مغناطيسي :
8-1- اکسيد فريک گاما
8-2- دي اکسد کروم
8-3 اکسيد فزيک گاما تعديل شده به واسطه سطح کبالت
فصل نهم ) ديسک‌هاي مغناطيسي :
9-1- سازماندهي ديسک‌ها
9-2- برآورد ظرفيت‌ها و فضاي مورد نياز
9-3- تنگناي ديسک
9-4- فري مغناطيس
فصل دهم ) نوار‌هاي مغناطيسي :
10-1- کاربرد نوار مغناطيسي
10-2- مقايسه ديسک و نوار مغناطيسي
فصل يازدهم) فلاپي ديسک :
11-1- مباني فلاپي درايو
11-2- اجزاي يک فلاپي ديسک درايو
11-2: الف ) ديسک
11-2: ب) درايو
11-3 نوشتن اطلاعات بر روي يک فلاپي ديسک
فصل دوازدهم )هارد ديسک چگونه کار مي‌کند :
12-1- اساس‌هارد ديسک
12-2- نوار کاست در برابر‌هارد ديسک
12-3- ظرفيت و توان اجرايي
12-4- ذخيره اطلاعات
فصل سيزدهم ) فرآيند ضبط کردن و کاربردهاي ضبط مغناطيسي :
13-1 هدف‌هاي ضبط
13-2- کارآيي هد نوشتن
13-3- فرآيند هد نوشتن
13-4- فرآيند خواندن
نتيجه گيري و پيشنهادات
پيوست الف )
منابع و مآخذ
چکيده :
در سال‌هاي اخير بعد از کشف TMR , GMR در چند لايه‌هاي مغناطيسي علاقه شديدي به گسترش اين موضوع در بين محققين به وجود آمد.
در اين اثر علاوه بر درجه آزادي از اسپين آن نيز استفاده شده است. با پيشرفت اين تحقيقات ، کاربرد وسيع آن در ادوات ذخيره کننده اطلاعات ديجيتالي مشخص شد. اين پديده‌هاي اسپيني به سرعت به اجراء در آمده‌اند، مخصوصاً از بعد از سال 1988 پس از مشاهده نخستين GMR.
کلمات کليدي در اين پروژه ، حافظه‌هاي غير فرار ، مقاومت مغناطيسي عظيم و مقاومت مغناطيسي تونل زني ، ROM , MRAM , PAM ، ديسک‌هاي مغناطيسي و Shodow RAM و. .. مي‌باشد.
